扩大 NAND 闪存的规模。”“Lam Cryo 3.0 低温蚀刻技术是超越传统技术的重大飞跃。它以近乎完美的精度和控制蚀刻出比其宽度深 50 倍以上的内存通道，实现小于 0.1% 的轮廓偏差。这一突破显著提高了先进的 3D NAND 产量和整体性能，使芯片制造商能够在人工智能时代保持竞争力。” *声
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